Итоги международной конференции по спектрометрии тлеющего разряда GD Day 2016

Итоги международной конференции по спектрометрии тлеющего разряда GD Day 2016

Сообщаем, что 15-16 сентября 2016 года с успехом прошла 8-я международная конференция по спектрометрии тлеющего разряда GD Day, организованная компанией HORIBA Scientific на территории Французского ядерного центра Sinchrotron SOLEIL.

GD Day является наиболее значимым мероприятием по этой тематике, объединяющим настоящих и потенциальных пользователей спектрометров тлеющего разряда. Конференция посвящена наиболее интересным приложениям данного аналитического метода и проводимым в настоящее время исследованиям. Кроме того, большое внимание уделяется перспективам развития метода и аппаратного обеспечения, а также возможностям совместного применения GDOES и таких методов анализа, как растровая электронная микроскопия, рентгеновская фотоэмиссионная спектроскопия, «атомный зонд», АСМ/Раман, спектральная эллипсометрия.

Среди материалов следует выделить следующие доклады:

  • Possibilities and limitations for analysis of depth profiles in CdTe thin film solar cells / Возможности и ограничения при послойном анализе тонких пленок CdTe в солнечных батареях.
    Доклад представлен Fraunhofer Institute of Organic Electronic (Германия) и посвящен исследованию солнечных батарей на основе CdTe пленок. Свойства ячеек солнечных батарей в значительной степени определяются распределением Cl, S, Cu и их диффузионным поведением. Исследованы слои заднего контакта, абсорбирующий CdTe слой, CdS буферный слой, слой SnO2, передний контакт и стеклянная подложка, а также поведение указанных элементов. Показано, что GD-OES является оптимальным методом для дальнейшего исследования диффузионных процессов и, следовательно, для дальнейшей оптимизации свойств солнечных батарей.
  • Challenge of depth profiling characterizations by combining GD-DIP and XPS / Проблемы послойного профилирования при сочетании GD-DIP и XPS.
    Доклад представлен Institute Photovoltaique d’Ile-de-France, Institute Lavoisier de Versailles, Horiba Jobin Yvon (Франция). Исследованы пленки CIGS (Cu(In,Ga)Se) – перспективного материала для фотоэлектрических ячеек. Для оптимизации характеристик фотоэлектрических ячеек важно точное определение состава поверхности, объема, передней и задней границ раздела. Метод GD-OES является наиболее подходящим для исследования фотоэлектрических ячеек из-за присущей ему высокой скорости распыления материала (мкм/мин), представительности зоны анализа и нанометрового разрешения по глубине. Кроме того применение дифференциального интерферометрического профилирования (DIP) позволяет производить измерение скорости распыления и глубины кратера в режиме реального времени. Сочетание методов анализа GD-OES-DIP и XPS позволило сделать интересные выводы о влиянии поверхностной шероховатости слоев.
  • GD-OES studies of minor alloying elements incorporation into oxide scales during high temperature oxidation of Ni-based superalloys / Изучение методом GD-OES проникновения примесных элементов в оксидные пленки при термическом оксидировании сплавов на основе Ni.
    Доклад представлен Rzeszow University of Technology (Польша), Institute for Energy and Climate Research (Германия) и Научным центром Julich GmbH (Германия). Жаропрочные никелевые сплавы широко применяются в аэронавтике и энергетике для производства газовых турбин и характеризуются сохранением превосходных механических свойств как при комнатной, так и при высокой температуре. Для получения таких свойств в состав границ раздела зерен сплава вводятся примесные элементы, такие, как Hf, Zr, B. Однако эти элементы могут принимать участие в окислительных процессах благодаря высокому сродству к кислороду, что может привести к снижению механических свойств сплава. Применение метода SEM/EDX затруднено из-за малой концентрации и низкой чувствительности данного метода для определения бора. Методами GD-OES, XRD и SEM исследовано изменение распределения бора после длительной выдержки сплава при температуре 1050°С. Показана высокая эффективность метода GD-OES для анализа распределения элементов, включая легкие.
  • Characterization of thin film on glass by GD-OES / Исследование тонких пленок на стекле методом GD-OES.
    Доклад представлен фирмой Сен-Гобен (Saint Gobain), выпускающей стекла с прозрачными термоизолирующими покрытиями, основанными на отражении инфракрасных лучей. Пакет покрытий, наносимых в промышленных условиях методом PVD, может содержать в себе до 20 различных слоев толщиной от 0,3 до 50 нм. Характерные особенности метода GD-OES, такие, как высокая скорость анализа и нанометровое разрешение по глубине, выгодно выделяют этот перспективный метод при контроле качества пакетов покрытий наряду с традиционно применяемыми методами SEM, SIMS, TEM.
  • Тесты докладов будут размещены на сайте www.gd-day.com в ближайшее время.




Яндекс.Метрика